特許
J-GLOBAL ID：200903078681974347
マイクロ波プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-132034
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335567
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【構成】 反応器11を加熱・保持するための加熱手段21と、周囲壁11a内側に密接した筒部23及び反射板部24が一体的に形成された防着部材22とを備えているマイクロ波プラズマ処理装置。【効果】 反射板部24により低圧の反応室13内にプラズマを高密度に発生させることができ、加熱手段21により防着部材22を所定温度に加熱・保持することができ、酸化Si膜をより高い選択比でエッチングすることができるとともに、プラズマ処理を連続的に再現性よく行うことができる。また使用中の防着部材22と洗浄済の防着部材とを交換して簡単に反応室13内の清浄化を図ることができ、装置の稼働率を高めることができ、パーティクルの発生を防止することができる。
請求項（抜粋）：
マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内に設けられた試料保持部と、該試料保持部に高周波電界または直流電界を印加する電界印加手段とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、前記反応器の周囲壁を所定温度に加熱・保持するための加熱手段と、前記反応器の周囲壁内側に密接して配設された筒部、及び前記試料保持部周辺の前記マイクロ波導入窓と対向する箇所に配設された排気孔を有する反射板部が一体的に形成された防着部材とを備えていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
