特許
J-GLOBAL ID：200903078687774765
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-070137
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273051
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 硬度の高い研磨布を用いてCMP法による研磨を行う際に、研磨レートを低下させることなく、研磨を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ1上に外周部14aが中央部よりも膜厚が厚く、凸形状となっている酸化膜14を形成する。その後、フォトリソグラフィとエッチング工程により、酸化膜14をパターニングする。そして、トレンチ2を形成し、トレンチ2の内部を含む半導体ウェハ1上に埋込材を形成する。次に、硬度の高い研磨布を用いたCMP法により、酸化膜14をストッパとして、半導体ウェハ1上の埋込材を研磨する。このとき、外周部が凸形状となっていることから、研磨時に研磨面が凸形状となるのを抑制することができる。これにより、研磨レートを低下させることなく、研磨を行うことができる。
請求項（抜粋）：
CMP法による平坦化処理を行う半導体装置の製造方法において、研磨面の外周部を中央部よりも凸形状の状態にする工程と、研磨時にて、前記研磨面の前記外周部が前記中央部よりも凸形状となっている状態でCMP法による研磨を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304 621
H01L 21/304 622 N
, H01L 21/304 621 D
, H01L 21/304 622 F
