特許
J-GLOBAL ID：200903078707578267

紫外線発生源、紫外線照射処理装置及び半導体製造装置

発明者：
大平 俊行

大平 俊行 について

, 
塩谷 喜美

塩谷 喜美 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について

, 
株式会社半導体プロセス研究所

株式会社半導体プロセス研究所 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-160113
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340665
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 減圧雰囲気中で使用可能で、圧力差に起因する応力に十分に耐え得、かつ紫外線透過強度の減衰をより小さくし得るとともに、装置製造コストの低減を図ることができる紫外線発生源を提供するものである。【解決手段】 紫外線ランプ1と、紫外線を透過する材料からなり、紫外線ランプ1を収納する保護管2と、保護管2内に窒素ガス又は不活性ガスを導入するガス導入口6aとを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
紫外線ランプと、 紫外線を透過する材料からなり、前記紫外線ランプを封止し、かつ窒素ガス又は不活性ガスを封入した保護管と を有することを特徴とする紫外線発生源。
IPC (1件)：
H01L21/31
FI (1件)：
H01L21/31 E
Fターム (4件)：
5F045AB32 ,  5F045BB20 ,  5F045EK08 ,  5F045EK19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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