特許
J-GLOBAL ID：200903078709908485

発光素子

発明者：
末広 好伸

末広 好伸 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 樋口 武尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-159991
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353497
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 発光素子において、結晶からの光の取り出し効率を増して光出力を向上できること。【解決手段】 発光素子1においては、GaAs基板3上にGaAs系の結晶層7をエピタキシャル成長させて、発光層4を形成している。そして、基板3側を上面、結晶層7側を底面として基板3の中央部に一方の電極2を設け、結晶層7の底面全体にもう一方の電極5を設けた後に、底面側に一定の間隔で楔形の反射溝6を形成している。発光素子1においては発光層4が底面側にあるために、発光層4から水平に近い斜め下方向に放射される光をも反射溝6で上方に反射することができる。これによって、反射溝6がない場合には結晶層7の底面で横方向に反射されて結晶層7の内部に閉じ込められて吸収されてしまう光が、反射溝6によって上方へ反射されて基板3から外部放射される。
請求項（抜粋）：
発光素子の底面に発光層から発せられた光を上方へ反射する反射溝及び/または反射孔が形成されていることを特徴とする発光素子。
Fターム (6件)：
5F041AA03 ,  5F041AA47 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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