不揮発性メモリシステム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-322718
公開番号（公開出願番号）：特開2006-134482
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】擬似パス機能を有しつつ、使用可能なメモリ容量の減少を抑制することが可能な不揮発性メモリを備える不揮発性メモリシステムを提供すること。【解決手段】不揮発性メモリ1と、これを制御するメモリコントローラ3とを具備し、不揮発性メモリ1は、書き込みシーケンス、及び消去シーケンスの少なくともいずれか一方の終了後に、許容ビット数までのビットエラーが発生していてもステータスとしてはパスを返す擬似パス機能を備え、コントローラ3は、許容ビット数の上限値を変更する許容ビット数変更機能を備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するメモリコントローラとを具備し、前記不揮発性メモリは、書き込みシーケンス、及び消去シーケンスの少なくともいずれか一方の終了後に、許容ビット数までのビットエラーが発生していてもステータスとしてはパスを返す擬似パス機能を備え、前記メモリコントローラは、前記許容ビット数の上限値を変更する許容ビット数変更機能を備えることを特徴とする不揮発性メモリシステム。

IPC (5件)：

G11C 16/06 , G06F 12/16 , G11C 29/42 , G11C 16/02 , G11C 16/04

FI (9件)：

G11C17/00 639C , G06F12/16 310A , G06F12/16 320M , G11C29/00 631Z , G11C17/00 601B , G11C17/00 611A , G11C17/00 622E , G11C17/00 611G , G11C17/00 601T

Fターム (29件)：

5B018GA02 , 5B018GA06 , 5B018HA14 , 5B018HA23 , 5B018KA02 , 5B018MA24 , 5B018NA06 , 5B018QA15 , 5B018RA02 , 5B125BA01 , 5B125CA06 , 5B125DB02 , 5B125DB08 , 5B125DB17 , 5B125DD05 , 5B125DD08 , 5B125DE08 , 5B125DE09 , 5B125EA05 , 5B125EE19 , 5B125EK01 , 5B125EK02 , 5B125FA01 , 5B125FA02 , 5B125FA10 , 5L106AA10 , 5L106BB12 , 5L106EE07 , 5L106FF05

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,185,134号明細書

審査官引用 (4件)

不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた記憶システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-353033 出願人：株式会社東芝
半導体不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-055769 出願人：ソニー株式会社
動的可変長誤り訂正符号
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-226457 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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