特許
J-GLOBAL ID：200903078804559811

半導体発光装置

発明者：
服部 靖

服部 靖 について

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布上 真也

布上 真也 について

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波多腰 玄一

波多腰 玄一 について

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斎藤 真司

斎藤 真司 について

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信田 直美

信田 直美 について

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山本 雅裕

山本 雅裕 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-094875
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273562
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】高輝度の光を高い効率で出力することが可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光素子を搭載する平面を有する基板(4)と、前記基板の前記平面に搭載され、紫外光から可視光までの範囲内の光を放出する半導体発光素子(2)と、前記半導体発光素子を覆って前記基板上に設けられた第1の光透過性層(31)と、前記第1の光透過性層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有し、蛍光体と基材とを含む蛍光体層(32)と、前記蛍光体層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有する第2の光透過性層(33)とを具備することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体発光素子を搭載する平面を有する基板と、 前記基板の前記平面に搭載され、紫外光から可視光までの範囲内の光を放出する半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を覆って前記基板上に設けられた第1の光透過性層と、 前記第1の光透過性層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有し、蛍光体と基材とを含む蛍光体層と、 前記蛍光体層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有する第2の光透過性層とを 具備することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (15件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19 ,  5F041DA32 ,  5F041DA36 ,  5F041DA42 ,  5F041DA45 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041DA82
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 米国特許第5,962,971号
  • 発光デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-088604   出願人：スタンレー電気株式会社
  • 白色発光ダイオードの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-005579   出願人：詮興開發科技股ふん有限公司
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審査官引用 (7件)
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