特許
J-GLOBAL ID：200903078941832150

ポジ型レジスト組成物

発明者：
西山 文之

西山 文之 について

, 
藤森 亨

藤森 亨 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-339364
公開番号（公開出願番号）：特開2003-140348
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：
【要約】【課題】 凹凸のある高反射基板上でのレジスト膜厚変動による線幅変動率が顕著に抑制されたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 特定の構造の酸分解性基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(A)及び/又は別の特定の構造の酸分解性基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(B)、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに特定のビニルエーテル化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
請求項（抜粋）：
(a)下記一般式(X)で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(A)及び/又は下記一般式(Y)で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(B)、(b)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに(c)下記一般式(Q)で示されるビニルエーテル化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(X)中、R1、R2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表わす。mは、1〜20の整数を表わす。【化2】上記式中、R3は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表わす。nは、0〜5の整数を表わす。【化3】一般式(Y)中、R4は、アルキル基を表わす。【化4】一般式(Q)中、Xは、置換基を有していてもよいアルキレン基を表す。Yは、2価の連結基を表す。Pは、置換基を有していてもよいヘテロ環基を表す。lは、0又は1を表す。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (12件)：
2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
審査官引用 (3件)

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