特許
J-GLOBAL ID：200903078992206238
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
田中 光雄
, 石井 久夫
, 田村 啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-252509
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332714
出願日： 2006年09月19日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】半導体発光素子において高い外部量子効率を安定に確保する。【解決手段】基板(10)の表面部分には発光領域(12)で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも1つの凹部(20)及び/又は凸部(21)を形成する。凹部及/又は凸部は半導体層(11、13) に結晶欠陥を発生させない形状とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板表面上に基板とは材質の異なる少なくとも2層の半導体層と発光領域とを積層構造に成膜し、発光領域で発生した光を上記上側半導体層又は下側基板から取り出すようにした半導体発光素子において、
上記基板の表面部分には上記発光領域で発生した光を散乱又は回折させる少なくとも1つの凹部及び/又は凸部が形成され、該少なくとも1つの凹部及び/又は凸部が上記半導体層に結晶欠陥を発生させない形状をなしていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01L33/00 E
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA74
, 5F041CA84
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB15
, 5F041DB01
