特許
J-GLOBAL ID：200903000964482263
窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-288155
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160539
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】 選択成長マスクを用いることなく、より転位の低減を図ることが可能な窒化物系半導体および窒化物系半導体素子の形成方法を提供することである。【解決手段】 サファイア基板1のC面上に、AlGaN第1バッファ層2、GaN第2バッファ層3および第1GaN層4を順に成長させ、図中のA-A線上の第1GaN層4を研磨する。それにより、第1GaN層4において、サファイア基板1のC面から所定の方向に所定の角度Bだけ傾斜した面を露出させる。このようにして、第1GaN層4にオフ面が形成されたGaNオフ基板25を作製し、第1GaN層4のオフ面に第2GaN層を成長させる。
請求項（抜粋）：
基板のC面上に第1の窒化物系半導体層を成長させ、前記第1の窒化物系半導体層においてC面から所定の方向に所定の角度傾斜した面を露出させ、前記第1の窒化物系半導体層の前記傾斜した面上に前記第1の窒化物系半導体層よりも単結晶に近い第2の窒化物系半導体層を成長させることを特徴とする窒化物系半導体の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 5/323
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 5/323
