特許

J-GLOBAL ID：200903079026659397

SOI構造を有する半導体素子及びその製造方法

発明者： 高 榮 健 ,  金 炳 善 ,  金 永 郁
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-147113
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118997
出願日： 2000年05月18日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 ダイオードまたはウェル抵抗素子などとして用いられる拡散領域の側面において現れる接合漏洩電流発生を最小化して半導体素子の動作特性の向上を図り得るSOI構造を有する半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 拡散領域?A,?@をスペーサ124aを用いて濃度勾配の異なる二重接合構造、例えば、P-層120がP+層134を囲む構造又はN-層114がN+層128を囲む構造にし、しかも前記スペーサ124aを用いてシリサイド層138は高濃度不純物層、即ち、P+層134又はN+層128の表面のみに形成されるようにする。これにより、シリサイド層138の側面から拡散領域?A、?@の側面までの距離を充分に確保する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に絶縁層を介して形成された表面シリコン層と、前記半導体基板の表面が所定部分だけ露出されるように前記表面シリコン層と前記絶縁層が食刻されて形成された凹溝部と、この凹溝部の両側壁に形成されたスペーサと、前記凹溝部下方の前記基板内に形成された拡散領域と、前記スペーサ間の前記拡散領域上に形成されたシリサイド層とからなることを特徴とするSOI構造を有する半導体素子。

IPC (11件)：

H01L 27/08 331 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 311 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/329

FI (11件)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 27/06 311 B ,  H01L 21/76 D ,  H01L 27/04 R ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 623 A ,  H01L 29/91 A

Fターム (82件)：

4M104AA09 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE01 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F032AA13 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032CA03 ,  5F032CA07 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F038AR01 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ18 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048DA01 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F110AA04 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE33 ,  5F110GG02 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HK41 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平4-345064
  
• シリコン・オン・インシュレータ(SOI)の静電気放電防止ダイオード構造体及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-057668   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開昭60-124968
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-045093   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-345064
  
• 特開昭60-124968
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-185643   出願人：富士通株式会社