誘電体薄膜合成用CVD反応炉

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-010420
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224179
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】特性の良好な誘電体薄膜を合成することを目的とする。【構成】加熱および活性酸化ガスの少なくとも一方による予備反応部16を主反応部13の前段に有するものである。また、加熱機構として、ヒーターによる抵抗加熱、誘導加熱、および赤外線加熱のいずれか、またはそれらを組み合わせて使用するものである。さらに、活性酸化ガスとして、オゾンガス、亜酸化窒素、酸化窒素、および水蒸気のいずれか、またはそれらを組み合わせて使用するものである。

請求項（抜粋）：