半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350423
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201837
出願日： 1993年12月31日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】反応ガスを用いて半導体ウエハ表面に絶縁酸化膜を成膜する半導体製造装置において、簡易な構成によつて反応ガスを均一に拡散させることによつて半導体ウエハ表面に均一に付着させる。【構成】半導体ウエハの表面にテトラトキシオゾシラン又はシラン系の成膜を行う2重反応管内部において、半導体ウエハを保持するボートを配置したボート配置空間と反応ガスを導入するノズル配置空間とを複数の貫通孔を形成した多孔板によつて分割し、ノズルから2重反応管内部に導入された反応ガスを一旦ノズル配置空間内に溜め、当該ノズル配置空間内に溜まつた反応ガスを多孔板の貫通孔を介してボート配置空間内に均一に拡散させるようにしたことにより、半導体ウエハ表面に反応ガスを均一に付着させることができる。

請求項（抜粋）：

反応ガスを用いて半導体ウエハ表面に絶縁酸化膜を成膜する半導体製造装置において、上記半導体ウエハを内部に配置し、所定の反応ガスを導入することにより上記半導体ウエハに上記反応ガスを付着させる筐体と、上記筐体を上記半導体ウエハが配置された第1の空間と上記反応ガスを導入する第2の空間とに分割すると共に、複数の貫通孔が形成された多孔板とを具え、上記第2の空間に導入された上記反応ガスを、上記多孔板の複数の貫通孔を介して上記第1の空間に拡散させるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/40 , H01L 21/205 , H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-132079 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
特開平3-249177
減圧気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-001942 出願人：日本電気株式会社

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