特許
J-GLOBAL ID:200903079139904029
スイッチングレギュレータ及びその制御回路
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
政木 良文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-021682
公開番号(公開出願番号):特開2007-209054
出願日: 2006年01月31日
公開日(公表日): 2007年08月16日
要約:
【課題】 広い入力電圧範囲においてスイッチングレギュレータの安定動作と高効率を実現し、且つ、半導体集積回路の集積度を向上でき、低消費電力で高速動作可能なスイッチングレギュレータ制御回路を提供する。【解決手段】 スイッチング素子Q1のオンオフ動作によって入力電圧Vinを低電圧の出力電圧Voutに安定化して出力するスイッチングレギュレータを構成するとともに、スイッチング素子Q1を駆動制御するためのスイッチングレギュレータ制御回路30において、スイッチング素子Q1をパルス駆動するスイッチング素子駆動回路7を含む少なくとも一部の回路が、同じ半導体基板上に半導体集積回路として形成され、スイッチング素子Q1を駆動する駆動パルスの電圧振幅が、入力電圧Vinと入力電圧より一定電圧だけ低い第1内部電圧VintH間の電圧差以下で、半導体集積回路で使用される低電圧系トランジスタの耐圧以下に設定されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
連続的なパルス駆動によるスイッチング素子のオンオフ動作によって入力電圧を低電圧の出力電圧に安定化して出力するスイッチングレギュレータを構成するとともに、前記スイッチング素子を駆動制御するためのスイッチングレギュレータ制御回路であって、
前記スイッチング素子をパルス駆動するスイッチング素子駆動回路を含む少なくとも一部の回路が、同じ半導体基板上に半導体集積回路として形成され、
前記スイッチング素子を駆動する駆動パルスの電圧振幅が、前記半導体集積回路で使用される低電圧系トランジスタの耐圧以下に設定されていることを特徴とするスイッチングレギュレータ制御回路。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (12件):
5H730AA14
, 5H730AA15
, 5H730BB13
, 5H730DD04
, 5H730EE59
, 5H730FD01
, 5H730FD41
, 5H730FF01
, 5H730FG05
, 5H730VV01
, 5H730XX15
, 5H730XX22
引用特許:
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