特許

J-GLOBAL ID：200903079205148940

磁気メモリ

発明者： 岸 達也 ,  斉藤 好昭 ,  天野 実 ,  高橋 茂樹 ,  西山 勝哉 ,  上田 知正 ,  與田 博明 ,  浅尾 吉昭 ,  岩田 佳久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-007879
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209227
出願日： 2002年01月16日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 より小さな書込み電流により磁気記録層に効率的に磁場を印加することにより、高集積度で消費電力を低減し且つ信頼性も高い磁気メモリ素子を提供することを目的とする。【解決手段】 磁気記録層を有する磁気抵抗効果素子(21)と、前記磁気抵抗効果素子の上また下において第1の方向に延在する第1の書き込み配線(22)と、を備え、前記第1の書き込み配線に電流を流すことにより形成される磁界によって前記磁気記録層の磁化の方向が可変とされ、前記第1の書き込み配線は、その両側面の少なくともいずれかに磁性体からなる被覆層(SM)を有し、前記被覆層は、前記磁気抵抗効果素子にもっとも近い先端部における厚みが、それ以外の部分における厚みよりも薄くされたことを特徴とする磁気メモリを提供する。

請求項（抜粋）：

磁気記録層を有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上または下において第1の方向に延在する第1の書き込み配線と、を備え、前記第1の書き込み配線に電流を流すことにより形成される磁界によって前記磁気記録層の磁化の方向が可変とされ、前記第1の書き込み配線は、その両側面の少なくともいずれかに磁性体からなる被覆層を有し、前記被覆層は、前記第1の方向に対して垂直な断面において、前記磁気抵抗効果素子にもっとも近い先端部における厚みがそれ以外の部分における厚みよりも薄いことを特徴とする磁気メモリ。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA15 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• オンザフライでピン留めされる軟らかいリファレンス層のためのクラッディングされた読出し-書込み導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-095682   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• メモリー素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-106270   出願人：松下電器産業株式会社
• 磁気メモリおよびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326133   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド