特許

J-GLOBAL ID：200903079225687170

半導体装置の製造方法

発明者： 板谷 秀治 ,  経田 昌幸
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 石戸 久子 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-147577
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343784
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 ZrO2を熱CVD法により基板上に成膜した後は、反応室内をクリーニングする必要があるが、従来のウエットクリーニングを行う場合、反応室内に設置されているサセプタ類を取り外したり、反応室を大気開放したりしていたため、ダウンタイム(装置の非稼動状態)の増大を招き装置稼働率が低下し量産性に乏しかった。【解決手段】 反応室4内で基板1上にZrを含む膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程において反応室4内に付着した前記膜をBおよびH、またはBr、またはClを含むガスを用いて除去するクリーニング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により、前記課題を解決した。

請求項（抜粋）：

反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程において反応室内に付着した前記膜をBおよびH、またはBr、またはClを含むガスを用いて除去するクリーニング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (22件)：

5F004AA15 ,  5F004BD04 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA11 ,  5F004DB00 ,  5F004DB13 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB10 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F140AA39 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE10 ,  5F140BE20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 成膜装置、クリーニング方法、及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-088428   出願人：株式会社日立製作所
• 薄膜製造装置および薄膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-244925   出願人：ソニー株式会社
• 計測装置および計測方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-065147   出願人：株式会社東芝