特許
J-GLOBAL ID:200903079290994072
レジスト現像法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-057464
公開番号(公開出願番号):特開平8-254832
出願日: 1995年03月16日
公開日(公表日): 1996年10月01日
要約:
【要約】【目的】 物理的に保護層を取ることなく、保護層をレジスト層の現像前に除去でき、レジスト層の現像の制御が容易な現像法を提供することを目的とする。【構成】 本発明のレジスト現像法は、基材上にレジスト層を形成し、レジスト層上に中性乃至酸性の水性媒体に溶解しうる保護層を形成し、該レジスト層及び保護層に光を照射してレジスト層に所望のパターンを露光し、保護層を中性乃至酸性の水性媒体で溶解し、レジスト層を所定の現像液で現像することによりレジストパターンを形成することを特徴とする
請求項(抜粋):
基材上にレジスト層を形成し、レジスト層上に中性乃至酸性の水性媒体に溶解しうる保護層を形成し、該レジスト層及び保護層に光を照射してレジスト層に所望のパターンを露光し、保護層を中性乃至酸性の水性媒体で溶解し、レジスト層を所定の現像液で現像することによりレジストパターンを形成することを特徴とするレジスト現像法。
IPC (5件):
G03F 7/11 501
, C23C 28/00
, G03F 7/26 511
, G03F 7/38 512
, H05K 3/06
FI (6件):
G03F 7/11 501
, C23C 28/00 E
, G03F 7/26 511
, G03F 7/38 512
, H05K 3/06 L
, H05K 3/06 G
引用特許:
出願人引用 (12件)
-
パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-244714
出願人:株式会社東芝
-
特開昭58-159530
-
特開昭56-078192
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審査官引用 (12件)
-
パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-244714
出願人:株式会社東芝
-
特開昭58-159530
-
特開昭56-078192
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