特許
J-GLOBAL ID：200903079294827111

有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法

発明者：
加藤 隆志

加藤 隆志 について

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五十嵐 達也

五十嵐 達也 について

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島田 敏宏

島田 敏宏 について

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石井 由威

石井 由威 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について

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国立大学法人 東京大学

国立大学法人 東京大学 について


代理人 (3件)： 飯田 敏三 ,  佐々木 渉 ,  宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-216491
公開番号（公開出願番号）：特開2009-078963
出願日： 2008年08月26日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：
【課題】有機半導体化合物の単結晶薄膜を大面積かつ均一に作製する方法、並びにその方法によって作製された有機半導体化合物の単結晶薄膜を提供する。【解決手段】誘電率が4.5以上でありかつ有機半導体化合物6が可溶である有機溶媒を、基板2上に塗布して液膜9を形成する工程、有機溶媒液膜9に有機半導体化合物6を供給し溶解させる工程、および有機溶媒中で有機半導体化合物6を結晶化させる工程を含む、有機半導体化合物6の単結晶薄膜の作製方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
誘電率が4.5以上でありかつ有機半導体化合物が可溶である有機溶媒を、基板上に塗布して液膜を形成する工程、 前記有機溶媒液膜に前記有機半導体化合物を供給し溶解させる工程、および 前記有機溶媒中で前記有機半導体化合物を結晶化させる工程 を含むことを特徴とする有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法。
IPC (7件)：
C30B 29/58 ,  C30B 7/08 ,  H01L 21/368 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40
FI (7件)：
C30B29/58 ,  C30B7/08 ,  H01L21/368 Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250F ,  H01L29/28 310J
Fターム (22件)：
4G077AA03 ,  4G077BF04 ,  4G077CB01 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA28 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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