埋め込み導電層の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039495
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232313
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】埋め込み導電層の形成方法に関し、CVD-Cu層の堆積速度を向上するとともに、製造工程を簡素化する。【解決手段】絶縁層2に形成した凹部3表面にバリヤメタル層4を設けたのち、金属のプリカーサを用いた気相化学成長法によって導電層6を成長させて凹部3を埋め込む際に、導電層6の成長に先立って、バリヤメタル層4を還元性気体5に曝してバリヤメタル層4の表面を還元する。

請求項（抜粋）：

絶縁層に形成した凹部表面にバリヤメタル層を設けたのち、金属のプリカーサを用いた気相化学成長法によって導電層を成長させて前記凹部を埋め込む埋め込み導電層の形成方法において、前記導電層の成長に先立って、前記バリヤメタル層を還元性気体に曝して前記バリヤメタル層の表面を還元することを特徴とする埋め込み導電層の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 321

FI (3件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/304 321 S , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-337585 出願人：三星電子株式会社
特開平3-278431
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-133618 出願人：富士通株式会社, 東京エレクトロン株式会社

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