特許
J-GLOBAL ID：200903079396648840
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-152453
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321546
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】 スパッタ法で配線膜を形成するに当たり、微小なコンタクト孔での側面部分のカバレッジを十分に向上させ、コンタクトの信頼性を高くする。【構成】 液体窒素を用いてシリコン基板1を室温以下のマイナス40°Cに保持し、スパッタ法によりチタン膜6およびアルミニウム合金膜7を形成する。これにより、コンタクト孔5の側面での核形成密度が向上するとともに、コンタクト孔5の開口部でアルミニウム合金膜7が横方向に成長するのを抑制できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1の配線層と、前記第1の配線層上の絶縁膜に形成されたコンタクト孔において前記第1の配線層に接続された第2の配線層とを有する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の温度を室温以下に設定したスパッタ法により前記第2の配線層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/768
, C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
H01L 21/90 A
, C23C 14/34 K
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 301 R
, H01L 21/88 N
