微細構造体の乾燥方法および該方法により得られる微細構造体

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：植木久一 , 菅河忠志 , 二口治 , 伊藤浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-150819
公開番号（公開出願番号）：特開2005-333015
出願日： 2004年05月20日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：

【課題】現像後の半導体基板等の微細構造体を液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素で乾燥するに当たり、パターンの膨潤や倒壊等を生じず、しかも乾燥後の微細構造表面に付着しているパーティクル量を低減できる乾燥方法、およびこうした乾燥方法を用いて乾燥された微細構造体を提供する。【解決手段】水を含む溶媒Aで微細構造体を洗浄する工程、前記溶媒Aを、フッ素含有化合物aと、界面活性剤および/または前記フッ素含有化合物aとの親和性を有すると共に親水基を有する化合物を含む溶媒Bで置換する工程、前記溶媒Bを、前記フッ素含有化合物aおよび/または該フッ素含有化合物aとは異なるフッ素含有化合物bを含む溶媒Cで置換する工程、前記溶媒Cを、液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素で置換する工程、次いで、乾燥する工程、を含み、この際前記溶媒Bおよび前記溶媒Cに含まれるNa+の濃度を0.5ng/ml以下に抑制して操業する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

微細構造体を液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素で乾燥する方法であって、水を含む溶媒Aで微細構造体を洗浄する工程、前記溶媒Aを、フッ素含有化合物aと、界面活性剤および/または前記フッ素含有化合物aとの親和性を有すると共に親水基を有する化合物を含む溶媒Bで置換する工程、前記溶媒Bを、前記フッ素含有化合物aおよび/または該フッ素含有化合物aとは異なるフッ素含有化合物bを含む溶媒Cで置換する工程、前記溶媒Cを、液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素で置換する工程、次いで、乾燥する工程、を含み、この際前記溶媒Bおよび前記溶媒Cに含まれるNa+の濃度を0.5ng/ml以下に抑制することを特徴とする微細構造体の乾燥方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 , F26B21/14

FI (4件)：

H01L21/304 651Z , H01L21/304 647B , H01L21/304 647Z , F26B21/14

Fターム (9件)：

3L113AA01 , 3L113AB09 , 3L113AB10 , 3L113AC20 , 3L113AC67 , 3L113BA34 , 3L113CB19 , 3L113DA09 , 3L113DA24

引用特許：

出願人引用 (6件)

超臨界乾燥方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-019596 出願人：日本電信電話株式会社
超臨界乾燥装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-254835 出願人：日本電信電話株式会社
微細構造体の乾燥方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-242012 出願人：株式会社神戸製鋼所

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審査官引用 (4件)

微細構造体の乾燥方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-242012 出願人：株式会社神戸製鋼所
半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-339342 出願人：岸本産業株式会社, 大塚化学株式会社
特開平4-080297

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