特許
J-GLOBAL ID：200903079441551399

LaSrAlO4単結晶基板の溶解性表面処理方法

発明者：
佐藤 寿志

佐藤 寿志 について

, 
内藤 方夫

内藤 方夫 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080787
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280629
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】基板表面に存在している劣化層を溶解性表面処理により取り除き、超伝導転移温度の高い超伝導酸化物薄膜を高歩留まりで作製できるLaSrAlO4単結晶基板の溶解性表面処理方法を提供する。【解決手段】LaSrA1O4単結晶基板の表面に存在している劣化層を、例えば、塩酸もしくは硝酸等の酸を含む溶液中でエッチングし除去する。本発明は、LaSrA1O4単結晶基板の表面を、酸を含む溶液中に浸すことを最も主要な特徴とするものであって、この操作により基板の表面付近が溶解し、表面に存在していた劣化層が取り除かれる。このような基板の溶解性表面処理を行うことにより、LaSrAlO4単結晶基板上に高温超伝導体を良好にエピタキシャル成長させることができ、超伝導転移温度の高い超伝導酸化物薄膜を高歩留まりで作製することができる。
請求項（抜粋）：
LaSrA1O4単結晶基板の表面のメカノケミカル研磨による劣化層を、塩酸もしくは硝酸を含む溶液中でのエッチング処理により除去することを特徴とするLaSrAlO4単結晶基板の溶解性表面処理方法。
IPC (2件)：
H01L 39/24 ZAA ,  H01L 21/308
FI (2件)：
H01L 39/24 ZAA W ,  H01L 21/308 C
Fターム (10件)：
4M113AD36 ,  4M113AD40 ,  4M113BA01 ,  4M113BA02 ,  4M113BC05 ,  4M113CA33 ,  5F043AA40 ,  5F043BB27 ,  5F043DD01 ,  5F043DD16
引用特許：
審査官引用 (3件)

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