特許
J-GLOBAL ID：200903079483561262

半導体装置の製造方法

発明者：
高橋 正志

高橋 正志 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-294982
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108493
出願日： 2004年10月07日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 MOSFETのゲート絶縁膜であるシリコン窒化酸化膜の薄膜化において、窒素をゲート絶縁膜とシリコン基板の界面に導入しないようにし、デバイス特性劣化の防止が可能な半導体装置の製造方法を提供するものである。【解決手段】 本発明は、MOSFETのゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、シリコン酸化膜を形成する工程とシリコン窒化膜を形成する工程とシリコン窒化膜を窒化処理する工程と熱処理する工程を順に施すことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜を窒化処理する工程と、前記シリコン窒化膜の窒化処理を施した後に、熱処理を行なう工程とを具備していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L21/318 M ,  H01L21/316 M ,  H01L29/78 301G
Fターム (35件)：
4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD09 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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