特許
J-GLOBAL ID：200903079498646590

静電放電と過電圧に対する集積回路の保護

発明者：
アレクサンドル マルエルベ

アレクサンドル マルエルベ について

, 
ファブリス ブリソン

ファブリス ブリソン について


出願人/特許権者：
エステーミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム

エステーミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム について


代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-307000
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163278
出願日： 2002年10月22日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 静電放電と過電圧から集積回路を保護するための集積回路における占有面積の小さな保護回路を提供する。【解決手段】 集積回路の構成はレールに形成される供給導体を短絡する少なくともひとつのスイッチを有する電子保護回路の少なくともひとつの素子をふくみ、該スイッチは前記導体の下でレールの中に集積化される。
請求項（抜粋）：
レールに形成される供給導体(12,13)を短絡する少なくともひとつのスイッチ(MOSSWI)を有し電子保護の少なくともひとつの素子(1)を有する集積回路において、前記スイッチが前記導体の下で前記レールに集積化されることを特徴とする集積回路。
IPC (4件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 311 ,  H01L 27/06
FI (4件)：
H01L 27/06 311 B ,  H01L 27/06 311 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 A
Fターム (16件)：
5F038BH04 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038CD02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BF11 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 半導体集積回路の電源保護回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-258692   出願人：日鉄セミコンダクター株式会社
  • 信号入力回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-029615   出願人：新日本無線株式会社
  • 特許第6258672号
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