特許
J-GLOBAL ID：200903079519985196
半導体発光素子の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057685
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255928
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】 チッ化ガリウム系半導体層のエッチングをマスクとの選択比を大きくとれるようにするとともに、エッチング面などにコンタミネーションが付着しないようにして高特性の半導体発光素子がえられる製法を提供する。【構成】 基板1上に少なくともn型層3、4およびp型層6、7を含み発光(活性)層5を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の一部をエッチングする半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをフッ素系ガスプラズマにより生じるフッ素イオンビームでドライエッチングすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともn型層およびp型層を含み発光層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の一部をエッチングする半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをフッ素系ガスプラズマにより生じるフッ素イオンビームでドライエッチングすることを特徴とする半導体発光素子の製法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (6件)
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特開平1-204425
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特開平3-108779
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半導体発光装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-004719
出願人：旭化成工業株式会社
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