特許

J-GLOBAL ID：200903079534421347

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 福永 修大 ,  大澤 弘
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-360288
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165611
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】高い光取り出し効率を得るとともに、駆動電圧(Vf)を低くした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体素子のp型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面のドーパント濃度が、前記透光性導電酸化膜のバルクのドーパント濃度よりも高濃度とされている構成とし、前記p型半導体層と透光性導電酸化膜との接触抵抗を小さくしている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体素子のp型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、 前記p型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面のドーパント濃度が、前記透光性導電酸化膜のバルクのドーパント濃度よりも高濃度とされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 E

Fターム (10件)：

5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-279967   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-055421   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-069277   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-073375   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-055422   出願人：日亜化学工業株式会社