結晶薄膜製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269085
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106288
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：

【要約】【課題】水素化合物分子の飽和吸着量を単分子層に高め、IV族半導体等を単原子層単位で結晶薄膜を製造することのできる、新しい結晶薄膜製造方法を提供する。【解決手段】結晶成長する原子からなる水素化合物分子が基板表面に到着する前に、前記水素化合物分子の少なくとも一部を熱分解し、この熱分解により得られる分解種または分解種を含むガスを照射することにより、結晶成長する原子からなる吸着種を基板表面に一層吸着させる第一工程と、吸着しなかった残留ガスを排気する第二工程と、表面励起手段を用いて基板表面を励起し、不要な水素を基板表面から離脱させる第三工程とを含む複数工程を1サイクルとし、このサイクル毎に一原子層を形成する。

請求項（抜粋）：

結晶成長する原子からなる水素化合物分子が基板表面に到着する前に、前記水素化合物分子の少なくとも一部を熱分解し、この熱分解により得られる分解種または分解種を含むガスを照射することにより、結晶成長する原子からなる吸着種を基板表面に一層吸着させる第一工程と、吸着しなかった残留ガスを排気する第二工程と、表面励起手段を用いて基板表面を励起し、不要な水素を基板表面から離脱させる第三工程とを含む複数工程を1サイクルとし、このサイクル毎に一原子層を形成することを特徴とする結晶薄膜製造方法。

IPC (5件)：

C30B 25/16 , C30B 29/06 504 , C30B 29/08 , C30B 29/68 , H01L 21/203

FI (5件)：

C30B 25/16 , C30B 29/06 504 C , C30B 29/08 , C30B 29/68 , H01L 21/203 M

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-233594
結晶成長法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-069867 出願人：三菱重工業株式会社
半導体結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-052798 出願人：富士通株式会社

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