特許
J-GLOBAL ID：200903079563572494

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者：
横山 孝司

横山 孝司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-415411
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175306
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 配線層に熱的な影響を与えず、且つ接続不良を起こさずに接続層を形成することができる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体層4に、表面側より、接続層8を形成する工程と、半導体層4の表面側に、トランジスタ12を形成して、接続層8とトランジスタ12の一方の活性層とを接続する工程と、半導体層4の表面側に、トランジスタ12の他方の活性層に接続して、第1の配線層を形成する工程と、半導体層4の裏面側に、接続層8に接続して、第2の配線層を形成する工程とを有するようにする。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体層の表面側にトランジスタが形成され、前記半導体層の表面側に第1の配線層が形成され、前記半導体層の裏面側に第2の配線層が形成され、 前記第2の配線層が、前記半導体層内の表面側から裏面側まで形成された接続層を介して、前記トランジスタの活性層と接続されている ことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L27/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (6件)：
H01L27/12 C ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 626B ,  H01L21/88 J
Fターム (46件)：
5F033GG03 ,  5F033HH01 ,  5F033JJ04 ,  5F033LL04 ,  5F033MM30 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033VV15 ,  5F110AA15 ,  5F110AA26 ,  5F110BB03 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG36 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK13 ,  5F110HK14 ,  5F110HK34 ,  5F110HK39 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ10 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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