半導体ウェハの熱処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332941
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156008
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】急速に昇温又は降温させたり、微小な温度制御を行う際に制御が容易で且つ応答性を良くすると共に、環境を阻害することが無く安全性の高い半導体ウェハの熱処理装置を提供する。【解決手段】処理用ガスが導入される処理室2と、処理室2に収容させた半導体ウェハ3を加熱する加熱手段と、2処理室を囲繞する態様で加熱手段を装着して加熱室5を形成する半導体ウェハの熱処理装置であって、加熱手段は、給電部の先端側に環状の光放射部が形成された多数の光放射加熱用ヒータ4で構成され、光放射部を処理室2に沿って所定間隔毎に並列状に配置する半導体ウェハの熱処理装置である。

請求項（抜粋）：

処理用ガスが導入される処理室と、この処理室に収容させた半導体ウェハを加熱する加熱手段と、前記処理室を囲繞する態様で前記加熱手段を装着して加熱室を形成する半導体ウェハの熱処理装置であって、前記加熱手段は、給電部の先端側に環状の光放射部が形成された多数の光放射加熱用ヒータで構成され、この光放射部を前記処理室に沿って所定間隔毎に並列状に配置することを特徴とした半導体ウェハの熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/22 511 , H01L 21/22 501

FI (2件)：

H01L 21/22 511 Q , H01L 21/22 501 L

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体製造装置における熱処理炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-031994 出願人：神鋼電機株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-065869 出願人：株式会社日立製作所
熱処理炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-245647 出願人：セミックスエンジニアリング株式会社, 大同ほくさん株式会社

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審査官引用 (8件)

半導体製造装置における熱処理炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-031994 出願人：神鋼電機株式会社
特開昭59-178718
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-065869 出願人：株式会社日立製作所

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