薄膜トランジスタ及びその製法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：清原義博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-545474
公開番号（公開出願番号）：特表2008-535205
出願日： 2007年02月02日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：

本発明の薄膜トランジスタは、基板(1,11)と、前記基板上に間隔を有して形成された一対のソース・ドレイン電極(2,14)を有する。前記各ソース・ドレイン電極の少なくとも一部は、相互に離間して形成された一対の低抵抗導電性薄膜(10,20)により被覆されている。前記一対の低抵抗導電性薄膜上および前記低抵抗導電性薄膜の間隙には、チャネルとして形成された酸化物半導体薄膜層(3,15)が一体的に連続して形成されている。少なくともチャネル幅方向において、前記各低抵抗導電性薄膜の側端部が酸化物半導体薄膜層の側端部と揃うように同一形状に形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に間隔を有して形成された一対のソース・ドレイン電極と、相互に離間して形成され、それぞれが、前記ソース・ドレイン電極の少なくとも一部を被覆して形成された一対の低抵抗導電性薄膜と、前記一対の低抵抗導電性薄膜上および前記一対の低抵抗導電性薄膜の間隙に一体的に連続して形成され、且つ少なくともチャネル幅方向において、側端部が前記各低抵抗導電性薄膜の側端部と同一形状になるよう形成された、チャネルとして機能する酸化物半導体薄膜層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616T , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/78 617U

Fターム (30件)：

5F110AA04 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE29 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG30 , 5F110GG32 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110NN72 , 5F110QQ04

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-146907 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

審査官引用 (7件)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
配線パターン基板及び薄膜トランジスタマトリクス基板とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-145931 出願人：富士通株式会社
パターン形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-321918 出願人：鹿児島日本電気株式会社

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