トランジスタの製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：原謙三 , 木島隆一 , 金子一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146907
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349583
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】酸化亜鉛を半導体素子として用いた場合に、操作が簡便でコスト的に有利なインクジェット法を用いて、酸化亜鉛にダメージを与えたり、表示品位の劣化を招いたりすることなくボトムゲート型のトランジスタを製造する方法を提供する。【解決手段】ガラス基板10上にゲート電極11を所定の形状に形成された後に、ゲート絶縁膜12を積層し、該ゲート絶縁膜12上にソース電極13及びドレーン電極14を配置するボトムゲート型のトランジスタの製造方法において、ソース電極13及びドレーン電極14を所定の形状に形成した後に、酸化亜鉛を含んでなるチャネル層15をインクジェット法にて所定の形状に形成することを特徴としている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にゲート電極を所定の形状に形成した後に、絶縁層を積層し、該絶縁層上にソース電極及びドレーン電極を配置するボトムゲート型のトランジスタの製造方法において、上記ソース電極及び上記ドレーン電極を所定の形状に形成した後に、酸化亜鉛を含んでなるチャネル層をインクジェット法にて所定の形状に形成することを特徴とするトランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L21/336

FI (2件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

Fターム (35件)：

5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG33 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ10

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-233342 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
電子デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-078148 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-098805 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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