特許
J-GLOBAL ID:200903079641721353

半導体発光装置、その製造方法、及び画像表示装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-336372
公開番号(公開出願番号):特開2006-147876
出願日: 2004年11月19日
公開日(公表日): 2006年06月08日
要約:
【課題】 半導体発光素子を基板に形成された配線に直接接続する場合であっても、半導体発光素子と外部配線との電気的接続の信頼性を向上させることが可能な半導体発光装置を提供することを課題とする。【解決手段】 一導電型半導体層11と活性層12と逆導電型半導体層13とを順次積層させてなる半導体発光素子17上面に電気接続構造体16を形成することにより、半導体発光素子17を外部配線に容易に接続することを可能となり、半導体発光素子17と外部配線との電気的接続の信頼性が向上する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
一導電型半導体層と活性層と逆導電型半導体層とを順次積層させてなる半導体発光素子と、 前記逆導電型半導体層の上面に形成された電気接続構造体と を有することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  G09F 9/33
FI (3件):
H01L33/00 E ,  H01L33/00 N ,  G09F9/33
Fターム (17件):
5C094AA32 ,  5C094BA25 ,  5C094CA19 ,  5C094DB02 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041DA13 ,  5F041DA34 ,  5F041DA82 ,  5F041DB08 ,  5F041DC66 ,  5F041FF06 ,  5F041FF16
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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