特許
J-GLOBAL ID：200903079661217376

研磨液組成物

発明者：
米田 康洋

米田 康洋 について

, 
橋本 良一

橋本 良一 について

, 
萩原 敏也

萩原 敏也 について


出願人/特許権者：
花王株式会社

花王株式会社 について


代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-119690
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085374
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】絶縁層と金属層を有する被研磨表面において、金属膜の研磨速度を維持し、エッチング速度を抑制し、金属配線層のディッシング等の防止効果に優れた研磨液組成物、研磨方法、及び半導体基板の製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨する研磨液組成物であって、分子内に2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基を有する構造を有する化合物と水を含有する第1研磨液組成物、さらに有機酸及び/又は酸化剤を含有する第2研磨液組成物、第1又は第2研磨液組成物にさらに研磨材を含有する第3研磨液組成物、前記第1〜3研磨液組成物を用いて、絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨し、平坦化する半導体基板の研磨方法、並びに前記第1〜第3研磨液組成物を用いて、絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨し平坦化する工程を有する半導体基板の製造方法。
請求項（抜粋）：
絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨する研磨液組成物であって、分子内に2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基を有する構造を有する化合物と水を含有する研磨液組成物。
IPC (6件)：
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/306
FI (6件)：
H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/306 M
Fターム (14件)：
3C058AA07 ,  3C058BC02 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043BB30 ,  5F043DD16 ,  5F043EE08 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM