特許
J-GLOBAL ID：200903079704745436
半導体層構造とその製造方法およびそれを用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-202010
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050058
出願日： 1995年08月08日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、面方位が変化する周期構造、あるいは面方位および格子定数が変化する新しい周期構造、およびそれらの簡便な作製方法を提供するものである。【構成】 半導体基板1上に半導体パタ-ン状薄膜層2を直接接着により形成し、その表面全面に半導体層3を結晶成長する。このとき、半導体基板1と半導体パタ-ン状薄膜層2の直接接着界面に垂直な一断面において、半導体基板1と半導体パタ-ン状薄膜層2の格子配列が等価でないように両者を配置して直接接着する。これにより、半導体層3の面方位が成長面内でパタ-ン状に変化する。さらに、半導体基板1と半導体パタ-ン状薄膜層2の格子定数が異なるように設定することにより、面方位に加えて格子定数がパタ-ン状変化した周期構造が得られる。【効果】 様々な面方位周期構造を簡便に作製することが可能となる。さらに、面方位と格子定数の同時周期構造が提供され、第2次高調波発生装置や新しい機能が付加された発光・受光素子の開発に貢献する。
請求項（抜粋）：
第一の格子定数を有する第一の半導体基板上に、第二の格子定数を有する第二の半導体パタ-ン状薄膜層が形成され、前記第二の半導体パタ-ン状薄膜層が形成された前記第一の半導体基板の表面全面に第三の格子定数を有する第三の半導体層が結晶成長されてなる半導体層構造であり、前記第二の半導体パタ-ン状薄膜層は前記第一の半導体基板上に直接接着されて形成されること、および前記第一の半導体基板の格子配列と前記第二の半導体薄膜層の格子配列が直接接着界面に垂直な一断面において等価でないことを特徴とする半導体層構造。
IPC (4件)：
G02F 1/37
, H01L 21/02
, H01L 21/205
, H01S 3/18
G02F 1/37
, H01L 21/02 B
, H01L 21/205
, H01S 3/18
