特許
J-GLOBAL ID：200903079720118085

磁気検出素子及び磁気ヘッド

発明者：
川瀬 正博

川瀬 正博 について


出願人/特許権者：
キヤノン電子株式会社

キヤノン電子株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 卓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129888
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330644
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出素子において、安定して高い出力が得られ、製造が容易で安価に製造できる構成を提供する。【構成】 非磁性基板10上に、素子本体としての高透磁率磁性膜12が形成される。磁性膜12は、外部磁界Hexの検出方向に沿った複数本の直線部分が所定間隔で平行に並び、順次折り返すように連結され、電気的に直列接続されたつづら折り状パターンに形成されており、さらに磁化容易軸方向が磁界検出方向に対し膜面内で垂直な矢印B方向になるように磁気異方性が付けられている。磁性膜12の両端の端子部12A,12Bから高周波電流を印加し、外部磁界Hexにより端子部12A,12B間に発生するインピーダンスの変化が電気信号に変換され出力が得られる。
請求項（抜粋）：
磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出素子であって、非磁性基板上に高透磁率磁性膜を形成して構成され、前記高透磁率磁性膜は、磁界検出方向に沿った複数本の直線部分が所定間隔で平行に並び、順次折り返すように連結され、電気的に直列接続されたつづら折り状パターンに形成され、且つ磁化容易軸方向が磁界検出方向に対し膜面内で垂直な方向になるように磁気異方性が付けられており、該高透磁率磁性膜の両端部から高周波電流を印加し外部磁界により前記両端部間に発生するインピーダンスの変化を電気信号に変換して出力を得られるようにしたことを特徴とする磁気検出素子。
IPC (3件)：
H01L 43/00 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/33
FI (3件)：
H01L 43/00 ,  G11B 5/33 ,  G01R 33/06 R
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)

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