特許
J-GLOBAL ID：200903079752768766

誘電層の堆積およびエッチングのための方法および装置

発明者：
ロッスマン, ケント

ロッスマン, ケント について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-536906
公開番号（公開出願番号）：特表2002-507067
出願日： 1999年03月22日
公開日（公表日）： 2002年03月05日
要約：
【要約】堆積-エッチング(dep-etch)技術の特徴を使用して、コンフォーマル誘電体を被覆しようとする段付き表面を有する基板が配置された処理チャンバ内への堆積ガスの流れを選択に減少させて、コンフォーマル誘電層を堆積するための方法および装置。処理チャンバ内への堆積ガスの流れを選択的に低下することによって、処理チャンバ内の圧力を増加することなく、プラズマが形成されるスパッタリングガスの処理チャンバ内の濃度を高める。スパッタリングガス濃度が100%に近づくように、堆積ガスの流れを定期的に停止することが好ましい。この方法により、適切なギャップ充填特性を持つコンフォーマル誘電層の堆積速度を高めながら、同誘電層のエッチング速度を大幅に高めることができる。
請求項（抜粋）：
処理チャンバ内に配置された基板上にコンフォーマル層を堆積するための方法であって、 前記処理チャンバ内に堆積ガスおよび不活性ガスソースを流入させるステップと、 プラズマを形成し、前記プラズマが前記処理チャンバ内に存在するステップと、 前記処理チャンバ内に存在する前記堆積ガスを選択的に減少させるステップとを含む、方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (5件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B
Fターム (35件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F004AA11 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004DA17 ,  5F004EB03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045EH04 ,  5F045EH12 ,  5F045EH20 ,  5F045GB15 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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