半導体光増幅器及び光ゲートスイッチ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：絹谷信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-020343
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223793
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】スイッチング速度が速く、偏波依存性が少ない半導体光増幅器及び光ゲートスイッチを提供する。【解決手段】基板20上に略矩形断面形状の活性層34が略逆凹字断面形状の上部クラッド層35で覆われ、上部クラッド層35が低誘電率、低屈折率の酸化層26及びポリマ層27で覆われているので、寄生容量が小さくなり、高速のスイッチング特性が得られる。また、活性層34の厚さ方向及び幅方向の光強度分布の広がりを略一様に大きくすることができるので、偏波依存性を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

下面に下部電極が形成された化合物半導体基板の上面に、スラブ状の下部クラッド層が形成され、該下部クラッド層の上面に略矩形断面形状の活性層が形成され、該活性層を覆うように略逆凹字断面形状の上部クラッド層が形成され、上記上部クラッド層の上にコンタクト層を介して上部電極が形成され、該上部クラッド層の側面及び上面に酸化層及びポリマ層が順次形成された積層体の両端面に無反射コーティング層が形成され、上記上部電極と上記下部電極との間にしきい値電流以下の電流を流すことにより、上記積層体の一方の端面から上記活性層内に入射された信号光が上記活性層内を伝搬する際に増幅され、増幅された信号光が上記積層体の他方の端面から出射されることを特徴とする半導体光増幅器。

IPC (3件)：

H01S 5/50 610 , G02F 1/017 503 , G02F 1/025

FI (3件)：

H01S 3/18 692 , G02F 1/015 601 C , G02F 1/025

Fターム (28件)：

2H079AA02 , 2H079BA01 , 2H079CA05 , 2H079CA09 , 2H079DA16 , 2H079DA25 , 2H079EA03 , 2H079EA07 , 2H079EA08 , 2H079EB04 , 2H079HA04 , 2H079HA13 , 2H079HA15 , 2H079KA11 , 2H079KA18 , 5F073AA22 , 5F073AA35 , 5F073AA61 , 5F073AA74 , 5F073AB22 , 5F073AB25 , 5F073AB28 , 5F073BA03 , 5F073CA12 , 5F073EA14 , 5F073EA22 , 5F073EA27 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-354397 出願人：日本電信電話株式会社
導波路型光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-021474 出願人：株式会社日立製作所
半導体光機能素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016642 出願人：株式会社日立製作所

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