特許
J-GLOBAL ID：200903066171498780

窒化物半導体素子

発明者：
豊田 達憲

豊田 達憲 について

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庄野 博文

庄野 博文 について

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田中 寿典

田中 寿典 について

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榊 篤史

榊 篤史 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-246665
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087771
出願日： 1997年09月11日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 発光強度のより向上した、更に高温高湿条件下での長期間の使用によってもショートが起こらない信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 基板11と、基板上に少なくとも順に積層形成されたn型層12及びp型層13と、該p型層上に設けられたp電極23と、前記p型層側から上記n型層に達する第一の凹部301と、該第一の凹部に露出したn型層上に設けられたn電極14と、前記p型層側から上記基板に達する第二の凹部302とを有し、更に前記第二の凹部の基板露出面304が、n型層と基板との界面より下方にあり、p電極及びn電極の各ボンディング面を除いてp電極及びn電極から第二の凹部まで連続して絶縁膜24が形成されている。
請求項（抜粋）：
基板と、基板上に少なくとも順に積層形成されたn型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層と、該p型窒化物半導体層上のほぼ全面に設けられたp電極と、前記p型窒化物半導体層側から上記n型窒化物半導体層に達する第一の凹部と、該第一の凹部に露出したn型窒化物半導体層上に設けられたn電極と、前記p型窒化物半導体層側から上記基板に達する第二の凹部とを有する窒化物半導体素子であって、前記第二の凹部の基板露出面が、n型窒化物半導体層と基板との界面より下方にあり、p電極及びn電極の各ボンディング面を除いてp電極及びn電極から第二の凹部まで連続して絶縁膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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