特許

J-GLOBAL ID：200903079863282013

単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器

発明者： 王 華兵 ,  山下 努
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036427
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246664
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 テラヘルツ信号系と固有ジョセフソン接合装置とを確実に結合させることができる単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器を提供する。【解決手段】 単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器であって、基板1と、この基板1上に搭載される両面加工プロセスで作製された全超伝導Bi2 Sr2 CaCu2 O8 単結晶固有ジョセフソン接合装置4と、このジョセフソン接合装置に集積化されるアンテナ3を具備する。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に搭載される両面加工プロセスで作製された全超伝導Bi2 Sr2 CaCu2 O8 単結晶固有ジョセフソン接合装置と、該ジョセフソン接合装置に集積化されるアンテナを具備することを特徴とする単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器。

IPC (5件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/22 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01Q 9/28 ZAA ,  H01Q 23/00 ZAA

FI (5件)：

H01L 39/22 ZAA A ,  H01L 39/22 ZAA D ,  H01L 39/24 ZAA J ,  H01Q 9/28 ZAA ,  H01Q 23/00 ZAA

Fターム (11件)：

4M113AA01 ,  4M113AA06 ,  4M113AA16 ,  4M113AA25 ,  4M113AC25 ,  4M113AD36 ,  4M113BC04 ,  4M113CA35 ,  5J021AA01 ,  5J021AB03 ,  5J021FA00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 異方性被加工材料を用いた立体的電子素子の製造方法及びその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-016491   出願人：科学技術振興事業団
• 層状酸化物超伝導体を用いた高温単電子対トンネル素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-256478   出願人：科学技術振興事業団
• 超伝導素子回路とその製造方法および超伝導デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-232882   出願人：松下電器産業株式会社
• 超電導デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-025675   出願人：セイコーエプソン株式会社