特許
J-GLOBAL ID：200903097749070969
異方性被加工材料を用いた立体的電子素子の製造方法及びその製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016491
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216447
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 側面加工により単結晶及び薄膜の表面性に制限なく微細面積加工により、高温超伝導体特有の層状構造を利用した単電子トンネルデバイス及び固有ジョセフソンデバイスの製造が可能な高温超伝導体を用いた立体的電子素子の製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】 集束イオンビームエッチングにより薄膜及び単結晶のエッチングを行なうために基板ホルダーを約360°(最小約90°)回転させ、基板上薄膜及び単結晶を側面からエッチングすることにより素子を作製する。薄膜及び単結晶を上面から、集束イオンビームにより接合長さのブリッジを形成した後、試料を約90°(270°)回転させて側面加工により、多層の電流経路層を形成する。また、その電流経路長を画面上の像の測定によって、その接合長を精密に制御できる工程とを施す。
請求項（抜粋）：
異方性被加工材料を用いた立体的電子素子の製造方法において、(a)薄膜成長用の基板上にブリッジを有する異方性をもつ薄膜を形成する工程と、(b)前記基板を試料ホルダーに搭載し、該試料ホルダーの角度を360°まで回転させ、集束イオンビーム加工法により、前記ブリッジを側面より加工する工程とを施すことを特徴とする異方性被加工材料を用いた立体的電子素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 39/24 ZAA
, H01L 21/3065
H01L 39/24 ZAA J
, H01L 21/302 D
4M113AA01
, 4M113AA06
, 4M113AA16
, 4M113AA25
, 4M113AD36
, 4M113AD37
, 4M113BA01
, 4M113BA04
, 4M113BB07
, 4M113BC04
, 4M113CA33
, 4M113CA34
, 4M113CA35
, 5F004BB24
, 5F004DA23
, 5F004DB00
, 5F004EA10
, 5F004EA28
, 5F004EA39
