特許
J-GLOBAL ID:200903079863321787
軟磁性膜と前記軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、および前記軟磁性膜の製造方法と前記薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野▲崎▼ 照夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-271140
公開番号(公開出願番号):特開2003-077723
出願日: 2001年09月07日
公開日(公表日): 2003年03月14日
要約:
【要約】【課題】 飽和磁束密度Bsの向上と保磁力Hcの低減を図ることが可能な軟磁性膜と前記軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、および前記軟磁性膜の製造方法と前記薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 上部磁極層21及び/または下部磁極層19を、少なくとも一部の領域に、Feの組成比が膜厚方向に変動する変動領域が設けられ、前記変動領域では、Fe組成比が最も多い部分とFe組成比が最も少ない部分とでFe組成比の差が4質量%以上である軟磁性膜で形成する。これにより飽和磁束密度Bsの向上とともに結晶粒径の微細化により保磁力Hcを低減させることができ、高記録密度化に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になる。
請求項(抜粋):
Feと前記Fe以外の磁性元素を含有する軟磁性膜において、少なくとも一部の領域には、Feの組成比が膜厚方向に変動する変動領域が設けられており、前記変動領域では、Fe組成比が最も多い部分とFe組成比が最も少ない部分とでFe組成比の差が4質量%以上であることを特徴とする軟磁性膜。
IPC (8件):
H01F 10/16
, C25D 5/18
, C25D 7/06
, G01R 33/09
, G11B 5/31
, H01F 41/26
, H01L 43/02
, H01L 43/08
FI (9件):
H01F 10/16
, C25D 5/18
, C25D 7/06 K
, G11B 5/31 C
, G11B 5/31 D
, H01F 41/26
, H01L 43/02 Z
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
Fターム (26件):
2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 4K024AA03
, 4K024AA04
, 4K024AA15
, 4K024AA16
, 4K024AB01
, 4K024BA02
, 4K024BB14
, 4K024BC10
, 4K024CA06
, 4K024CA07
, 4K024GA16
, 5D033BA03
, 5D033CA01
, 5D033DA04
, 5D033DA31
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB01
, 5E049DB12
, 5E049LC01
引用特許:
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