特許
J-GLOBAL ID：200903079872697544

AlN単結晶膜の形成方法

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について

, 
角谷 茂明

角谷 茂明 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-193651
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021894
出願日： 2006年07月14日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】サファイア基板上にIII族窒化物結晶成長用下地として好適なAlN単結晶膜を形成する方法を提供する。【解決手段】窒素元素含有ガスを主成分とし、これに水分(水蒸気ガス)あるいはO2ガスなどの酸化性の酸素元素含有ガスを添加した混合ガス雰囲気の下で、サファイア基板を少なくとも1300°C以上に加熱することで、サファイア基板の主面上に窒化物であるAlNを反応生成させる。酸化性の酸素元素含有ガスの添加を行うことで、AlNの生成速度を適度に抑制して、表面平坦性が良好なAlN単結晶膜を形成することができる。酸素元素含有ガスの添加は、窒化処理装置100の内部にさや102などの酸化物固体を載置し、サファイア基板ともどもこれを加熱することで行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
サファイア基板上にAlN単結晶膜を形成する方法であって、 サファイアに対する窒化能を有する窒素元素含有ガスと酸化性の酸素元素含有ガスとを含むガス雰囲気の下で単結晶サファイアからなる基板を1300°C以上の加熱温度で加熱することによって、前記基板の主面上にAlN単結晶膜を形成させる、 ことを特徴とするAlN単結晶膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 1/10
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 C ,  C30B1/10
Fターム (20件)：
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CA01 ,  4G077CA08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077JA03 ,  4G077JB02 ,  4G077JB07 ,  4G077JB12 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AD17 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045HA11
引用特許：
出願人引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM