特許
J-GLOBAL ID：200903079924176076
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066198
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091312
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】気相化学エッチングのエンドポイントを正確に検出にし、大面槓にわたり良好な素子持性の半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基板上に形成されたシリコンを含む薄膜を、薄膜上のレジストパターンに基づいて、気相化学エッチングによりパターニングする際、パターニング中における所定幅の波長の発光強度Aを検出するとともに、この所定幅に含まれる特定波長の発光強度Bを検出し、発光強度Bを発光強度Aで除算して除算信号を生成し、この除算信号の変動に基づいてパターニングの終了時を決定する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上にシリコンを含む薄膜を形成する工程と、上記薄膜上にレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンに基づいて上記薄膜を気相化学エッチングによりパタ-ニンダする工程と、を備え、上記パターニング工程は、上記気相化学エッチング中に、所定幅の波長の発光強度Aを検出するとともに、上記所定幅に含まれる特定波長の発光強度Bを検出する工程と、上記発光強度Bを上記発光強度Aで除算して除算信号を生成する工程と、上記除算信号に基づいて上記パターニングの終了時を決定する工程と、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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