鋳造装置及び鋳造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (7件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 青山正和 , 江口昭彦 , 杉浦秀幸 , 村山靖彦 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-216874
公開番号（公開出願番号）：特開2004-058075
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】鋳造装置及び鋳造方法において、原料の十分な装填を可能にすると共に不純物混入を防ぐこと。【解決手段】溶湯7を収容し上部に開口部を有する鋳型2と、該鋳型の上方に配置されたヒータ3と、前記溶湯浴面に向かって不活性ガス8を供給するガス供給機構と、前記溶湯浴面とヒータとの間に配された蓋6とを備えた鋳造装置であって、前記蓋を前記鋳型に対して相対的に移動させて前記鋳型上部の開口量を制御する蓋移動機構Mを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

溶湯を収容し上部に開口部を有する鋳型と、該鋳型の上方に配置されたヒータと、前記溶湯浴面に向かって不活性ガスを供給するガス供給機構と、前記溶湯浴面とヒータとの間に配された蓋とを備えた鋳造装置であって、前記蓋を前記鋳型に対して相対的に移動させて前記鋳型上部の開口量を制御する蓋移動機構を備えていることを特徴とする鋳造装置。

IPC (5件)：

B22D7/06 , B22D7/00 , B22D21/02 , B22D23/06 , B22D27/04

FI (5件)：

B22D7/06 F , B22D7/00 H , B22D21/02 , B22D23/06 , B22D27/04 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

鋳造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-338259 出願人：三菱マテリアル株式会社
シリコンの一方向凝固装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-003816 出願人：川崎製鉄株式会社
多結晶半導体インゴットの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-267829 出願人：シャープ株式会社

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