III-V族窒化物膜の製造方法および製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-340945
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246323
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】MOCVD法によって特性が良好なAlxGayInzN(ただしx+y+z=1、x≧0、y≧0、z≧0)膜を高い成膜速度で効率よく、基板内膜厚の変動を抑えてエピタキシャル成長させるIIIV族窒化物膜の製造方法および装置を提供する。【解決手段】水平に配置された石英より成る反応管11の中央にサセプタ13を介して加熱される基板12を配置し、反応管中央部の内壁の、基板と対向する部分に冷却ジャケット20を配置し、この冷却ジャケットを経て所定の温度に制御された冷却媒体を循環させる。反応管11内に導入される原料ガスの温度を下げて気相反応を抑止し、基板と対向する反応管内壁部分内部の温度を下げてここに金属窒化物が堆積されるのを抑止することにより、良好な特性を有する金属窒化物膜を高い成膜速度で、均一に成膜できる。

請求項（抜粋）：

水平方向に配置された反応管の中央部にサセプタによって支持された基板を配置し、反応管の一端から反応管内に有機金属ガスおよびアンモニアガスを含む原料ガスをキャリアガスと共に導入し、有機金属ガスとアンモニアガスとの反応により生成される金属窒化物を、加熱されたサセプタによって支持された基板に堆積させてAlxGayInzN(ただしx+y+z=1、x≧0、y≧0、z≧0)膜をエピタキシャル成長させるに当たり、原料ガスと直接接触する反応管内壁の、少なくとも基板と対向する部分を直接冷却しながら成膜することを特徴とするIIIV族窒化物膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 29/38

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 29/38 C

Fターム (28件)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077HA02 , 4G077TB05 , 4K030AA11 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030KA02 , 4K030KA26 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF09 , 5F045BB09 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EB03 , 5F045EC05 , 5F045EJ04 , 5F045EJ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-258009 出願人：シャープ株式会社
特開平4-252022
薄膜気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-354470 出願人：日新電機株式会社

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