特許
J-GLOBAL ID：200903080024943509
半導体製造方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010673
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209208
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 バンプなどの電気的接合材に塗布するフラックスの付着量を制御する。【解決手段】 液状のフラックス3を収容する環状収容部5aが設けられかつ回転可能に設置されたテーブル5と、回転中のテーブル5の環状収容部5aに収容されたフラックス3に接触させてフラックス3の深さを制御する深さ制御手段6と、BGA1を保持して環状収容部5aに収容されたフラックス3にBGA1に取り付けられたバンプ2を浸すとともに、BGA1をプリント配線基板上に載置する真空吸着部材7と、真空吸着部材7のフラックス3の深さ方向3aへの移動量を制御する保持部材制御手段8とからなり、所定量のフラックス3が塗布されたバンプ2を介してBGA1を前記プリント配線基板に実装する。
請求項（抜粋）：
回転可能なテーブルに設けられた環状収容部にフラックスを供給する工程と、前記テーブルを回転させるとともに、前記環状収容部に収容されたフラックスに深さ制御手段を接触させて前記フラックスの深さを制御する工程と、前記テーブルの回転を停止した後、被処理物に取り付けられた電気的接合材の移動量を制御して深さが制御された前記フラックスに前記電気的接合材を浸す工程とを有し、前記フラックスに前記電気的接合材を浸す際に、前記電気的接合材の浸漬量を制御して浸すことを特徴とする半導体製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 604 Z
