特許
J-GLOBAL ID:200903080057701608

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-203901
公開番号(公開出願番号):特開2005-050914
出願日: 2003年07月30日
公開日(公表日): 2005年02月24日
要約:
【課題】半導体装置のピッチや切断ラインがずれるおそれを防止することができ、さらに、半導体装置の素子面に形成された電極部を汚染するおそれを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置が形成されたウエハ1の素子面に、ダイシングによって、後記研磨を行った後の半導体装置の厚さよりも深い溝を複数本形成する。次に、溝を形成したウエハ1の素子面に、スピンナーを用いて、第1樹脂層2になる液状樹脂を塗布し、前記溝を埋める。その後、第1樹脂層2になる液状樹脂によって、ウエハ1に、ダミーのSiウエハやガラスなどからなる硬質板3を貼り付ける。次に、ウエハ1の裏面を、前記溝に埋められた第1樹脂層2の樹脂が現れる状態まで研磨する。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
半導体装置が形成されたウエハの素子面におけるチップ分割用ラインに沿って、裏面に到達しない深さの溝を複数本形成する工程と、 これらの溝とウエハの素子面とを第1樹脂層で覆い、この第1樹脂層を介してウエハを硬質板に貼り付け、次いで第1樹脂層を硬化させる工程と、 硬質板に貼り付けられたウエハの裏面を、第1樹脂層が現れるまで研磨する工程と、 研磨されたウエハの裏面にダイボンド用の第2樹脂層を形成する工程と、 この第2樹脂層の裏面をチップ分割用シートに貼り付ける工程と、 硬質板を取り除く工程と、 第1樹脂層を接着シートに転写して取り除くことで、半導体装置を個片化する工程と、 個片化された半導体装置の間に存在する前記第1及び第2の樹脂を取り除く工程と、 チップ分割用シートから第2樹脂層とともに半導体装置をピックアップし、ウエハ素子面が上になるように、第2樹脂層を介して半導体装置を回路基板に搭載する工程と、 半導体装置の電極と回路基板の外部接続端子に電気的に接続された接続パッドとを金属細線で電気的に接続し、その回路基板の回路面を第3樹脂層で封止する工程と を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L23/12 ,  H01L21/301
FI (2件):
H01L23/12 501W ,  H01L21/78 Q
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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