特許
J-GLOBAL ID:200903080076904030
半導体素子
発明者:
,
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-117900
公開番号(公開出願番号):特開2004-006837
出願日: 2003年04月23日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【課題】表示装置の動作性能の安定性の向上及び回路設計における設計マージンの拡大を達成させる。【解決手段】半導体、該半導体に接するゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を介して前記活性層に対向するゲート電極、前記活性層の上方に設けられた第1無機絶縁膜、該第1無機絶縁膜の上に設けられたSOG膜、該SOG膜の上に設けられた第2無機絶縁膜及び該第2無機絶縁膜の上に設けられた配線を有する半導体素子であって、前記SOG膜に設けられた第1開口部の内壁面が前記第2無機絶縁膜に覆われると共に、前記第1開口部の内側に前記ゲート絶縁膜、前記第1無機絶縁膜及び前記第2無機絶縁膜を含む積層体に設けられた第2開口部を有し、前記第1開口部及び前記第2開口部を介して前記半導体と前記配線が接続されていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体、該半導体に接するゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を介して前記活性層に対向するゲート電極、前記活性層の上方に設けられた第1無機絶縁膜、該第1無機絶縁膜の上に設けられたSOG膜、該SOG膜の上に設けられた第2無機絶縁膜及び該第2無機絶縁膜の上に設けられた配線を有する半導体素子であって、前記SOG膜に設けられた第1開口部の内壁面が前記第2無機絶縁膜に覆われると共に、前記第1開口部の内側に前記ゲート絶縁膜、前記第1無機絶縁膜及び前記第2無機絶縁膜を含む積層体に設けられた第2開口部を有し、前記第1開口部及び前記第2開口部を介して前記半導体と前記配線が接続されていることを特徴とする半導体素子。
IPC (7件):
H01L29/786
, G02F1/1333
, G02F1/1368
, H01L21/336
, H01L21/768
, H01L29/78
, H05B33/14
FI (10件):
H01L29/78 619A
, G02F1/1333 505
, G02F1/1368
, H05B33/14 A
, H01L21/90 A
, H01L21/90 M
, H01L21/90 Q
, H01L29/78 616J
, H01L29/78 301N
, H01L29/78 301X
Fターム (183件):
2H090HA04
, 2H090HA06
, 2H090HB04X
, 2H090HC05
, 2H090HC12
, 2H090HC15
, 2H090HD03
, 2H090LA04
, 2H092JA25
, 2H092JA36
, 2H092JA44
, 2H092JA46
, 2H092JB57
, 2H092JB58
, 2H092JB64
, 2H092JB66
, 2H092KB22
, 2H092KB24
, 2H092MA10
, 2H092NA15
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, 2H092NA29
, 3K007AB11
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, 5F140CC08
, 5F140CC09
, 5F140CC16
引用特許: