特許
J-GLOBAL ID：200903080089206439

フォトマスク外観検査装置

発明者：
米倉 勲

米倉 勲 について

, 
福島 祐一

福島 祐一 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064834
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258352
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】フォトマスクの外観検査を、実際にステッパでウェハ上に露光するときと同じ条件で、行えるだけでなく、クリティカルなパターンに対して、ウェハ処理における最適なプロセス条件を求められる装置を提供することを課題とする。【解決手段】フォトマスクS1のパターンをマスクパターンデータS4に変換し、CADパターンS5をマスクパターンデータS7に変換し、両者のマスクパターンデータに対して光学条件S19の下で光強度分布データS10、S11を得、これらをデータ比較評価処理S12をし、続いて、パターンデータ抽出処理S15によってクリティカルなパターンを抽出し、ウェハプロセス条件S17の下で露光・現像計算S16を行い、その結果とCADパターンS5を使い照合・探索処理S18をし、最適なウェハ処理プロセス条件の設定S19を行う装置。
請求項（抜粋）：
フォトマスクを画像入力処理したフォトマスクパターンの光強度シミュレーション結果とCADパターンの光強度シミュレーション結果を比較評価することにより、露光波長での欠陥判定やデフォーカス時の欠陥特性の評価を行った後、フォトマスク上のクリティカルなパターンの位置を抽出し、そのクリティカルなパターンの位置におけるウェハ処理プロセス条件を考慮した露光・現像計算結果とCADデータを照合することにより、ウェハ処理でのプロセス条件の評価及び最適値の探索をするフォトマスク外観検査装置であって、評価するフォトマスクの画像を入力する画像入力手段と、フォトマスクの画像をシミュレーション用のマスクパターンデータに変換する画像データ変換手段と、CADパターンをシミュレーション用のマスクパターンデータに変換するCADデータ変換手段と、前記画像データ変換手段によって得られたマスクパターンデータから露光波長やデフォーカスなどの光学条件を設定して光強度分布を計算する光強度シミュレーション手段と、前記CADデータ変換手段によって得られたマスクパターンデータから露光波長やデフォーカスなどの光学条件を設定して光強度分布を計算する光強度シミュレーション手段と、前記光強度シミュレーション手段によって得られたマスクパターンの光強度分布とCADパターンの光強度分布を比較することで、欠陥判定や欠陥の影響の解析を行う光強度分布比較評価手段と、フォトマスク上のクリティカルなパターンの位置を抽出し、その位置でのフォトマスクのマスクパターンデータを取り出すパターンデータ抽出手段と前記パターンデータ抽出手段によって得られたクリティカルなマスクパターンについてウェハ処理プロセス条件を入力することによってレジストの表面形状を計算する露光・現像計算手段と前記露光・現像計算手段によって得られたレジストの表面形状とCADデータを照合することによりウェハ処理でのプロセス条件の評価及び最適値の検索を行う照合・探索手段と、を具備することを特徴とするフォトマスク外観検査装置。
IPC (2件)：
G01N 21/88 ,  G03F 1/08
FI (3件)：
G01N 21/88 645 A ,  G01N 21/88 J ,  G03F 1/08 S
Fターム (6件)：
2G051AA56 ,  2G051AC21 ,  2G051EA14 ,  2G051EB01 ,  2G051ED04 ,  2H095BD02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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