発光装置とトランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-505358
公開番号（公開出願番号）：特表2002-507324
出願日： 1998年06月17日
公開日（公表日）： 2002年03月05日
要約：

【要約】入力電子電流から少なくとも1つの出力放射ビームを生成するための少なくとも一つの発光装置であって、入力電子電流を光子に変換する少なくとも2つのp-n接合装置を備え、p-n接合装置は、発光装置の入力インピーダンスが発光手段のインピーダンスの総和と実質的に等しくなるように電気的に接続されている。よって、発光装置の量子効率はp-n接合装置の個々の量子効率の総和と実質的に等しい。好適な実施例によれば、発光装置は付加回路またはインピーダンス整合素子なしで発光装置の入力インピーダンスが実質的に50Ωに等しくなるように電気的に接続される複数のp-n接合装置である。この装置は上限変調周波数で制限される広い周波数帯域にわたり、50Ωインピーダンスを有することができる。代表的にはレーザーダイオード装置はAlGaAs,AlGaInP,AlGaInAsまたはAlGaInAsPレーザーダイオード装置のいずれか一つであってよい。また、本発明は光学に結合されたバイポーラトランジスタに関するものである。

請求項（抜粋）：

入力インピーダンスと装置量子効率を有し、入力電子電流からの出力放射ビームを生成するための少なくとも一つの発光装置であって、各々インピーダンスと個々の量子効率とを有し、前記入力電子電流を出力放射ビームに変換する少なくとも2つの発光手段を備え、前記前記発光手段は、前記装置量子効率が前記一つの発光手段の前記個々の量子効率より大きいかまたは等しいように電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。

IPC (4件)：

H01S 5/40 , H03F 3/08 , H04B 10/00 , H04B 10/22

FI (3件)：

H01S 5/40 , H03F 3/08 , H04B 9/00 A

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体レーザアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-347016 出願人：日本電気株式会社
固体リレー
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-303464 出願人：松下電工株式会社
特開昭58-096436

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