特許
J-GLOBAL ID：200903080142882000

超伝導三端子素子及びその製造方法

発明者：
赤崎 達志

赤崎 達志 について

, 
高柳 英明

高柳 英明 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-199181
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024617
出願日： 2004年07月06日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
【課題】カーボンナノチューブを用いた超伝導三端子素子がより容易に製造できるようにする。【解決手段】シリコンからなる基板101の上に所定の間隔をあけて設けられたコバルト珪化物から構成された超伝導ソース電極102a及び超伝導ドレイン電極102bと、これらの間に架橋するように形成されたカーボンナノチューブ103と、この上に配置されたゲート電極105とにより、超伝導三端子素子を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に所定の間隔をあけて配置されたコバルト珪化物からなる超伝導ソース電極及び超伝導ドレイン電極と、 前記超伝導ソース電極及び前記超伝導ドレイン電極の間に架橋して形成されたカーボンナノチューブと、 前記カーボンナノチューブに所定の間隔をあけて設けられたゲート電極と を備えることを特徴とする超伝導三端子素子。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ,  H01L 29/06
FI (2件)：
H01L39/22 G ,  H01L29/06 601N
Fターム (5件)：
4M113AB11 ,  4M113BA16 ,  4M113BB01 ,  4M113CA11 ,  4M113CA16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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